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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC2235-Y |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 800 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | LEAD FREE, 2-5J1A, TO-92MOD, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 108K |
| 代理商： | 2SC2235-Y |
2SC2235
2004-07-07
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
2SC2235
Audio Power Amplifier Applications
Driver Stage Amplifier Applications
Complementary to 2SA965.
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
120
V
Collector-emitter voltage
VCEO
120
V
Emitter-base voltage
VEBO
5
V
Collector current
IC
800
mA
Base current
IB
80
mA
Collector power dissipation
PC
900
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
ICBO
VCB = 120 V, IE = 0
―
100
nA
Emitter cut-off current
IEBO
VEB = 5 V, IC = 0
―
100
nA
Collector-emitter breakdown voltage
V (BR) CEO
IC = 10 mA, IB = 0
120
―
V
Emitter-base breakdown voltage
V (BR) EBO
IE = 1 mA, IC = 0
5
―
V
DC current gain
hFE
(Note)
VCE = 5 V, IC = 100 mA
80
―
240
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
IC = 500 mA, IB = 50 mA
―
1.0
V
Base-emitter voltage
VBE
VCE = 5 V, IC = 500 mA
―
1.0
V
Transition frequency
fT
VCE = 5 V, IC = 100 mA
―
120
―
MHz
Collector output capacitance
Cob
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
―
30
pF
Note: hFE classification O: 80 to 160, Y: 120 to 240
Unit: mm
JEDEC
TO-92MOD
JEITA
―
TOSHIBA
2-5J1A
Weight: 0.36 g (typ.)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC2235 | 800 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SC2235-O | 800 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SC2236-YTPE6 | 1500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC2236-Y | 1500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC2236 | 1500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC2235-Y(6MBH1,AF | 功能描述:TRANS NPN 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 |
| 2SC2235-Y(DNSO,AF) | 功能描述:TRANS NPN 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 |
| 2SC2235-Y(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:NPN 120V 0.8A 120 to 240 LSTM 制造商:Toshiba 功能描述:NPN 120V 0.8A 120 to 240 LSTM Bulk |
| 2SC2235-Y(F,M) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR NPN 120V 0.8A TO-92 |
| 2SC2235-Y(MBSH1,FM | 功能描述:TRANS NPN 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 |
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