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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB955 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon PNP Triple Diffused |
| 中文描述： | 三重擴散硅進步黨 |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 35K |
| 代理商： | 2SB955 |
2SB955(K)
4
Collector current I
C
(A)
C
C
B
B
V
BE(sat)
–10
–3
–1.0
–0.3
–0.1
–0.03
–0.01
–0.3
–1.0
–3
–10
–30
Saturation Voltage vs. Collector Current
V
CE(sat)
I
C
/I
B
= 100
200
500
Ta = 25
°
C
Pulse
t
stg
10
3
1.0
0.3
S
μ
s
0.1
0.03
0.01
–0.3
–1.0
Collector current I
C
(A)
–3
–10
–30
Switching Time vs. Collector Current
t
on
t
f
V
CC
= –30 V
I
B1
= –500 I
B2
Ta = 25
°
C
T
C
= 25
°
C
Diode Current vs. Forward Voltage
10
8
6
4
2
0
1
2
Diode forward voltage V
F
(V)
3
4
5
D
D
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB955K | Silicon PNP Triple Diffused |
| 2SB962 | PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MP-3 |
| 2SB962-Z | PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MP-3 |
| 2SB962-ZE | 3-Pin, Ultra-Low-Power SC70/SOT23 Voltage Detectors |
| 2SB962-ZP | BJT |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB955(K) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 120V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-220AB |
| 2SB955K | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon PNP Triple Diffused |
| 2SB955-K(E) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
| 2SB956 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MATSUSHITA TRANSISTOR C-62 -20V -1A 1W ECB SMD |
| 2SB956R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 1A I(C) | SC-62 |
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