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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB920Q |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 61K |
| 代理商： | 2SB920Q |
2SB920 / 2SD1236
No.1027-2/4
Continued from preceding page.
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
DC Current Gain
hFE1*
VCE=(--)2V, IC=(--)1A
70*
280*
hFE2VCE=(--)2V, IC=(--)3A
30
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)5V, IC=(--)1A
20
MHz
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)3A, IB=(--)0.3A
(--0.5)0.4
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)1mA, IE=0
(--)120
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)80
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)1mA, IC=0
(--)6
V
Turn-ON Time
ton
See specified test circuit.
(0.2)0.1
μs
Storage Time
tstg
See specified test circuit.
(0.7)1.2
μs
Fall Time
tf
See specified test circuit.
(0.2)0.4
μs
*The 2SB920 / 2SD1236 are graded as follows by hFE at 1A :
Rank
Q
R
S
hFE
70 to 140
100 to 200
140 to 280
Swicthing Time Test Circuit
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
--1.6
--1.8
--2.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
--4.5
--5.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
IC -- VCE
IT04407
2SB920
From top
--200mA
--180mA
--160mA
--140mA
--120mA
IB=0
IC -- VCE
IT04408
2SD1236
IB=0
--40mA
--20mA
--100mA
--80mA
--60mA
40mA
60mA
80mA
100mA
120mA
140mA
20mA
160mA
200mA
180mA
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
--1.6
--1.8
--2.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
--9
--10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
IC -- VCE
IT04409
2SB920
IB=0
IC -- VCE
IT04410
2SD1236
IB=0
--200mA
--100mA
--400mA
--300mA
200mA
300mA
400mA
500mA
600mA
700mA
100mA
800mA
900mA
1A
--600mA
--800mA
--900mA
1A
--500mA
--700mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
VR=10
RB=1
VCC=50V
VBE= --5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL=25
100μF
470μF
PW=20μs
IB1
D.C.≤1%
IB2
IC=10IB1= --10IB2=2A
For PNP, the polarity is reversed.
Ω
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1236S | 5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD1236R | 5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SB922 | 12 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| 2SD1238 | 12 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| 2SB922 | 12 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB921 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANSISTORTO-220AB -120V -7A 40W BCE |
| 2SB921L | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:80V/7A Switching Applications |
| 2SB921LQ | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB |
| 2SB921LR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB |
| 2SB921LS | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB |
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