參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB861
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon PNP Triple Diffused(三倍擴(kuò)散PNP晶體管)
中文描述： 三重?cái)U(kuò)散硅進(jìn)步黨（三倍擴(kuò)散進(jìn)步黨晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 31K
代理商： 2SB861
2SB861
3
Collector to emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
0
–4
–8
–12
–16
–20
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
Typical Output Characteristics
–8
T
C
= 25
°
C
I
B
= 0
–1 mA
–2
–3
–4
–5
–6
–7
–5
–10
–20
–50
–100
–200
–500
–1,000
Base to emitter voltage V
BE
(V)
C
C
(
–0.4
–0.5
–0.6
–0.7
–0.8
–0.9
–1.0
Typical Transfer Characteristics
V
CE
= –4 V
T
C
= 75
°
C
25
–25
5
–10
10
20
50
100
500
200
Collector current I
C
(mA)
D
F
–20
–50 –100 –200
–500–1,000
DC Current Transfer Ratio vs.
Collector Current
V
CE
= –4 V
T
C
= 75
°
C
25
–25
–0.1
–0.2
–0.5
–1.0
–2
–5
–10
Collector current I
C
(mA)
C
V
C
–10
–20
–50 –100 –200
–500–1,000
Collector to Emitter Saturation
Voltage vs. Collector Current
I
C
= 10 I
B
T
C
= 75
°
C
25
–25
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PDF描述
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2SB861C-E 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Bulk
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