參數(shù)資料
型號： 2SB1691
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： MPAK-3
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 74K
代理商： 2SB1691
2SB1691
Rev.1, Jun. 2001, page 2 of 6
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25 °C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to Base Voltage
V
CBO
60
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
50
V
Emitter to base voltage
V
EBO
–6
V
Collector current
I
C
–1
A
Collector peak current
ic(peak)
–2
A
Collector power dissipation
P
C
800*
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +150
°C
Note:
*When using alumina ceramic board (25 x 60 x 0.7 mm)
Electrical Characteristics
(Ta = 25
°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
–60
VI
C = –10 A, IE = 0
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
–50
VI
C = –1 mA, RBE = ∞
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
–6
VI
E = –10 A, IC = 0
Collector cutoff current
I
CBO
–100
nA
V
CB = –50 V, IE = 0
Emitter cutoff current
I
EBO
–100
nA
V
EB = –5 V, IC = 0
DC current transfer ratio
h
FE
200
500
V
CE = –2 V, IC = –0.1 A
Collector to emitter saturation
voltage
V
CE(sat)
–0.2
–0.3
V
I
C = –0.5 A, IB = –0.05 A,
Pulse test
Base to emitter saturation
voltage
V
BE(sat)
–0.95
–1.2
V
I
C = –0.5 A, IB = –0.05 A,
Pulse test
Gain bandwidth product
f
T
310
MHz
V
CE = –2 V, IC = –0.1 A
Collector output capacitance
Cob
9.8
pF
V
CB = –10 V, IE = 0,
f = 1 MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1694T106 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1724Q 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SB1724 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SB1724A 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SB1724AQ 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1691WL-TL-E 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:PNP PWR Transistor,50V,1A,MPAK 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT PNP 50V 1A 3-Pin MPAK T/R
2SB169300L 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 500MA MINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1694T106 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 1A SOT-323 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1695KT146 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1695TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*