參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1661S
元件分類： 功率晶體管
英文描述： POWER TRANSISTOR
封裝： SC-64, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 25K
代理商： 2SB1661S
2SB1661L, 2SB1661S
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to Base voltage
V
CBO
–300
V
Collector to Emitter voltage
V
CEO
–300
V
Emitter to Base voltage
V
EBO
–5
V
Collector current
I
C
–0.15
A
Collector peak current
I
C(peak)
–0.6
A
Collector power dissipation
Pc
Note1
10
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Note:
1. Value at Tc = 25°C
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
Collector to emitter
breakdown voltage
V
(BR)CEO
-300
—
V
I
C = –1mA, RBE = ∞
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
-5
—
V
I
E = –10mA, IC = 0
Collector current
I
CBO
—
–10
A
V
CB = –300V, I E = 0
Emitter current
I
EBO
—
–10
A
V
EB = –4V, I C = 0
DC current transfer ratio
h
FE1
50
—
200
V
CE = –1.5V, IC = –20mA
DC current transfer ratio
h
FE2
50
—
V
CE = –5V, I C = –100mA
Collector to emitter saturation
voltage
V
CE(sat)
—
–1.0
I
C = –100mA, IB = –5mA
Base to emitter saturation
voltage
V
BE(sat)
—
–1.5
I
C = –100mA, IB = –5mA
Gain bandwidth product
f
T
—
11
—
MHz
V
CE = –1.5A, IC = –20mA
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PDF描述
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