參數(shù)資料
型號： 2SB1661S
元件分類： 功率晶體管
英文描述： POWER TRANSISTOR
封裝： SC-64, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 25K
代理商： 2SB1661S
2SB1661L, 2SB1661S
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to Base voltage
V
CBO
–300
V
Collector to Emitter voltage
V
CEO
–300
V
Emitter to Base voltage
V
EBO
–5
V
Collector current
I
C
–0.15
A
Collector peak current
I
C(peak)
–0.6
A
Collector power dissipation
Pc
Note1
10
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Note:
1. Value at Tc = 25°C
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
Collector to emitter
breakdown voltage
V
(BR)CEO
-300
—
V
I
C = –1mA, RBE = ∞
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
-5
—
V
I
E = –10mA, IC = 0
Collector current
I
CBO
—
–10
A
V
CB = –300V, I E = 0
Emitter current
I
EBO
—
–10
A
V
EB = –4V, I C = 0
DC current transfer ratio
h
FE1
50
—
200
V
CE = –1.5V, IC = –20mA
DC current transfer ratio
h
FE2
50
—
V
CE = –5V, I C = –100mA
Collector to emitter saturation
voltage
V
CE(sat)
—
–1.0
I
C = –100mA, IB = –5mA
Base to emitter saturation
voltage
V
BE(sat)
—
–1.5
I
C = –100mA, IB = –5mA
Gain bandwidth product
f
T
—
11
—
MHz
V
CE = –1.5A, IC = –20mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1661S POWER TRANSISTOR
2SB1667(SM)-Y 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1667(SM)-O 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1679R 500 mA, 10 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1679S 500 mA, 10 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1669-AZ 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT PNP 60V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
2SB167900L 功能描述:TRANS PNP LF 10VCE0 1.0A S-MINI RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1679G0L 功能描述:TRANS PNP 10VCEO 500MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1682(Q) 功能描述:達林頓晶體管 PNP 160V 2A Transistor RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SB1689T106 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*