參數(shù)資料
型號： 2SB1658
廠商： NEC Corp.
英文描述： AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER, SWITCHING PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS
中文描述： 聲頻功率放大器，開關(guān)進(jìn)步黨硅外延三極管
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大小： 47K
代理商： 2SB1658
6
2SB1658
V
CB
- Collector to Base Voltage - V
OUTPUT CAPACITANCE vs COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
C
100
10
1
0.1
1.0
10
100
1000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1659 Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor（Darlington）(硅PNP外延平面晶體管（達(dá)林頓）)
2SB1669-S PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING
2SB1669-Z PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING
2SB1669 PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING
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參數(shù)描述
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2SB1679G0L 功能描述:TRANS PNP 10VCEO 500MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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2SB1689T106 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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