參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1657
廠商： NEC Corp.
英文描述： AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER, SWITCHING PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS
中文描述： 聲頻功率放大器，開(kāi)關(guān)進(jìn)步黨硅外延三極管
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大?。?/td> 47K
代理商： 2SB1657
characteristics
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Collector Cutoff Currnet
I
CB0
V
CB
=
30 V, I
E
= 0
100
nA
Emitter Cutoff Current
I
EB0
V
EB
=
6.0 V, I
C
= 0
100
nA
DC Current Gain
h
FE1
V
CE
=
2.0 V, I
C
=
0.5 A
150
600
DC Current Gain
h
FE2
V
CE
=
2.0 V, I
C
=
3.0 A
70
Collector Saturation Voltage
V
CE(sat)1
I
C
=
0.5 A, I
B
=
25 mA
0.08
0.15
V
Collector Saturation Voltage
V
CE(sat)2
I
C
=
1.0 A, I
B
=
50 mA
0.13
0.25
V
Collector Saturation Voltage
V
CE(sat)3
I
C
=
2.0 A, I
B
=
100 mA
0.24
0.40
V
Collector Saturation Voltage
V
CE(sat)4
I
C
=
3.0 V, I
B
=
75 mA
0.46
1.0
V
Base Saturation Voltage
V
BE(sat)
I
C
=
1.0 A, I
B
=
50 mA
0.83
1.50
V
Gain Bandwidth Product
f
T
V
CE
=
10 V, I
E
=
50 mA
75
MHz
Output Capacitance
C
ob
V
CB
=
10 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
60
pF
1996
DATA SHEET
The information in this document is subject to change without notice.
SILICON TRANSISTOR
2SB1657
FEATURES
Low V
CE(sat)
V
CE(sat)
=
0.15 V Max (@l
C
/l
B
= 0.5 A/25 mA)
High DC Current Gain
h
FE
= 150 to 600 (@V
CE
=
2.0 V, l
C
=
0.5 A)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Maximum Voltage and Current (T
A
= 25
°
C)
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Volteage
Emitter to Base Voltage
Collector Current (DC)
Collector Current (Pulse)*
Base Current (DC)
* PW
≤
10ms, Duty Cycle
≤
10 %
Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation (T
C
= 25
°
C)
Total Power Dissipation (T
A
= 25
°
C)
Maximum Temperature
Junction Temperature
Storage Temperature
V
CB0
V
CE0
V
EB0
I
C(DC)
I
C(Pulse)
I
B(DC)
30 V
30 V
6.0 V
5.0 A
8.0 A
1.0 A
P
T
P
T
10 W
1.0 W
T
j
T
stg
150
°
C
55 to 150
°
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
°
C)
Document No. D10627EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published June 1996 P
Printed in Japan
AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER, SWITCHING
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS
PACKAGE DIMENSIONS
in millimeters (inches)
8.5 MAX.
(0.334 MAX.)
φ
3.2 ± 0.2 ( 0.126)
1.2
(0.047)
1.2
(0.047)
0.8
(0.031)
2.3
(0.090)
1.
2.
3.
Emitter
Collector connected to mounting plane
Base
2.3
(0.090)
+0.05
0.55
(0.021)
+0.05
1 2 3
1
(
3
φ
φ
φ
2
(
1
(
2.8 MAX.
(0.110 MAX.)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1658 AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER, SWITCHING PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS
2SB1659 Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor（Darlington）(硅PNP外延平面晶體管（達(dá)林頓）)
2SB1669-S PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING
2SB1669-Z PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING
2SB1669 PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING
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參數(shù)描述
2SB1669-AZ 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT PNP 60V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
2SB167900L 功能描述:TRANS PNP LF 10VCE0 1.0A S-MINI RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1679G0L 功能描述:TRANS PNP 10VCEO 500MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1682(Q) 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP 160V 2A Transistor RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SB1689T106 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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