參數(shù)資料
型號： 2SB1628
廠商： NEC Corp.
英文描述： PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING
中文描述： 進步黨硅外延晶體管低頻功放和中高速開關
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 125K
代理商： 2SB1628
Data Sheet D16148EJ1V0DS
2
2SB1628
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25
°
C)
Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Collector cutoff current
I
CBO
V
CBO
=
20 V, I
E
= 0
100
nA
Emitter cutoff current
I
EBO
V
EBO
=
6.0 V, I
C
= 0
100
nA
DC current gain
h
FE1
V
CE
=
2.0 V, I
C
=
0.5 A
140
280
560
DC current gain
h
FE2
V
CE
=
2.0 V, I
C
=
3.0 A
70
DC base voltage
V
BE
V
CE
=
2.0 V, I
C
=
0.05 A
600
660
700
mV
Collector saturation voltage
V
CE(sat)1
I
C
=
2.0 A, I
B
=
0.1 A
240
350
mV
Collector saturation voltage
V
CE(sat)2
I
C
=
3.0 A, I
B
=
0.15 A
350
550
mV
Base saturation voltage
V
BE(sat)
I
C
=
2.0 A, I
B
=
0.1 A
0.95
1.2
V
Gain bandwidth product
f
T
V
CE
= –3.0 V, I
E
= 0.5 A
320
MHz
Output capacitance
C
ob
V
CB
= –10 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
45
pF
Turn-on time
t
on
70
ns
Storage time
t
stg
110
ns
Fall time
t
f
I
C
=
1.0 A, V
CC
=
10 V
I
B1
=
I
B2
=
0.1 A
R
L
= 10
40
ns
h
FE
CLASSIFICATION
Marking
ZX
ZY
ZZ
h
FE1
140 to 280
200 to 400
280 to 560
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