參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1605P
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-220E, FULL PACK-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 164K
代理商： 2SB1605P
2
Power Transistors
2SB1605, 2SB1605A
PC —Ta
IC —VCE
IC —VBE
VCE(sat) —IC
hFE —IC
fT —IC
Rth(t) —t
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
50
40
30
20
10
(1) T
C=Ta
(2) With a 100
× 100 × 2mm
Al heat sink
(3) With a 50
× 50 × 2mm
Al heat sink
(4) Without heat sink
(P
C=2W)
(1)
(4)
(3)
(2)
Ambient temperature Ta (C)
Collector
power
dissipation
P
C
(W
)
0
–12
–10
–8
–2
–6
–4
0
–6
–5
–4
–3
–2
–1
–80mA
–60mA
–40mA
–30mA
–20mA
–12mA
–8mA
–4mA
–16mA
I
B=–100mA
T
C=25C
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
Collector
current
I
C
(A
)
0
–2.0
–1.6
– 0.4
–1.2
– 0.8
0
–10
–8
–6
–4
–2
T
C=100C
25C
V
CE=–4V
–25C
Base to emitter voltage V
BE
(V)
Collector
current
I
C
(A
)
– 0.01
– 0.1
–1
–10
– 0.03
– 0.3
–3
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
I
C/IB=10
25C
–25C
T
C=100C
Collector current I
C
(A)
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
– 0.01
– 0.1
–1
–10
– 0.03
– 0.3
–3
1
3
10
30
100
300
1000
3000
10000
V
CE=–4V
T
C=100C
25C
–25C
Collector current I
C
(A)
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
– 0.01
– 0.1
–1
–10
– 0.03
– 0.3
–3
1
3
10
30
100
300
1000
3000
10000
V
CE=–5V
f=10MHz
T
C=25C
Collector current I
C
(A)
Transition
frequency
f
T
(MHz
)
10–4
10
10–3
10–1
10–2
1103
102
104
10–2
10–1
1
10
102
(1)
(2)
(1) Without heat sink
(2) With a 100
× 100 × 2mm Al heat sink
Time t (s)
Thermal
resistance
R
th
(t)
(C/W
)
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Please
visit
following
URL
about
latest
information.
http://panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1605AP 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1611 500 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2472 500 mA, 10 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1610 500 mA, 10 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4971 50 mA, 35 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1617(TP,Q) 制造商:Toshiba 功能描述:PNP 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Cut Tape
2SB1623AP 功能描述:TRANS PNP 80VCEO 4A TO-220D RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1625 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR FM100-110V -6A 60W BCE
2SB1628-T1-AZ 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:PNP PWR Transistor,16V,3.0A,P-MINI MOLD3 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT PNP 16V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-62 T/R
2SB1628-T1-AZ-ZZ 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*