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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1593 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | For Low-Frequency Output Amplification |
| 中文描述： | 3 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MT-3-A1, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 66K |
| 代理商： | 2SB1593 |
Power Transistors
2SB1593
Silicon PNP epitaxial planar type
1
Publication date: April 2003
SJD00085BED
For low-frequency output amplification
■
Features
Low collector-emitter saturation voltage V
CE(sat)
Allowing automatic insertion with radial taping
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
Unit: mm
1: Emitter
2: Collector
3: Base
MT-3-A1 Package
7.5
±
0.2
0.65
±
0.1
2
±
0
0.7
±
0.1
1.15
±
0.2
2.5
±
0.2
2.5
±
0.2
0.85
±
0.1
1.0
±
0.1
0.7
±
0.1
1.15
±
0.2
0.5
±
0.1
1
0.8 C
2
3
0.4
±
0.1
4.5
±
0.2
0.8 C
0.8 C
3
±
0
1
±
1
1
±
0
2
±
0
9
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
V
CER
29
29
V
Collector-emitter voltage
(Resistor between B and E)
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
20
11
3
10
V
Emitter-base voltage (Collector open)
V
EBO
I
C
V
Collector current
A
Peak collector current
I
CP
A
Collector power dissipation
P
C
T
j
1.5
W
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55
～
+
150
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emiter open)
V
CBO
V
CER
I
C
=
10
μ
A, I
E
=
0
I
C
=
1 mA, R
BE
=
10 k
29
29
V
Collector-emitter voltage
(Resistor between B and E)
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
V
EBO
I
C
=
1 mA, I
B
=
0
I
E
=
10
μ
A, I
C
=
0
V
CE
=
2 V, I
C
=
2.6 A
I
C
=
2.6 A, I
B
=
40 mA
V
CB
=
10 V, I
E
=
50 mA, f
=
200 MHz
V
CB
=
10 V, I
E
=
0, f
=
1 MHz
20
11
V
Emiter-base voltage (Collector open)
V
Forward current transfer ratio
h
FE
100
450
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
f
T
C
ob
0.3
0.5
V
Transition frequency
200
MHz
Collector output capacitance
(Common base, input open circuited)
110
150
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1594 | TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
| 2SB1599 | Silicon PNP epitaxial planer type(For power amplification) |
| 2SB1602 | TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
| 2SB1603 | Silicon PNP epitaxial planar type(For low-voltage switching) |
| 2SB1603A | Silicon PNP epitaxial planar type(For low-voltage switching) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB15990QL | 功能描述:TRANS PNP 40VCEO 1.5A MINI PWR RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB15990RL | 功能描述:TRANS PNP 40VCEO 1.5A MINI PWR RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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| 2SB1623AP | 功能描述:TRANS PNP 80VCEO 4A TO-220D RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1625 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR FM100-110V -6A 60W BCE |
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