參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1580
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Power Transistor (−100V , −2A)
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大小： 64K
代理商： 2SB1580
2SB1580 / 2SB1316 / 2SB1567
Transistors
Power Transistor (
100V ,
2A)
2SB1580 / 2SB1316 / 2SB1567
!
Features
1) Darlington connection for high DC current gain.
2) Built-in resistor between base and emitter.
3) Built-in damper diode.
4) Complements the 2SD2195 / 2SD1980 / 2SD2398.
!
Absolute maximum ratings
(Ta = 25
°
C)
Parameter
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
Tj
Tstg
Limits
100
100
8
2
3
2
1
150
55
～+
150
Unit
V
V
V
A(DC)
A(Pulse)
1
W
10
2
20
2
W(Tc
=
25
°
C)
W
W(Tc
=
25
°
C)
°
C
2SB1580
2SB1316
2SB1567
°
C
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector
power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1 Single pulse Pw
=
100ms
2 When mounted on a 40 x 40 x 0.7 mm ceramic board.
!
Packaging specifications and h
FE
Type
Package
h
FE
Marking
2SB1580
MPT3
1k
～
10k
BN
T100
1000
2SB1316
CPT3
1k
～
10k
TL
2500
2SB1567
TO-220FN
1k
～
10k
500
Denotes h
FE
Code
Basic ordering unit (pieces)
!
Circuit schematic
R
1
3.5k
R
2
300
B
C
E
C
B
E
: Base
: Collector
: Emitter
R
1
R
2
!
External dimensions
(Units : mm)
ROHM : TO-220FN
2SB1567
2SB1316
2SB1580
(3) Emitter(Source)
(2) Collector(Drain)
(1) Base(Gate)
EIAJ : SC-62
2
0
1
0
9.5
2.5
0.8Min.
1.5
6
2
(
(
C0.5
0
0.9
(
0
2
0
1.5
5.5
(3) Emitter(Source)
(2) Collector(Drain)
ROHM : CPT3
EIAJ : SC-63
5
(3) Emitter(Source)
(2) Collector(Drain)
0.75
0.8
2.54
(3)
(1)
(3)
(2)
(1)
2.54
(2)
5
8
1
1
1
1.3
1.2
10.0
3.2
φ
2.6
4.5
2.8
1
0
1
0
1
0
3
0
1
(3)
4
(1)
(2)
0.5
4.0
2.5
1.0
ROHM : MPT3
!
Electrical characteristics
(Ta = 25
°
C)
Parameter
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
h
FE
Min.
100
100
1000
Typ.
Max.
10
3
1.5
10000
Unit
V
V
μ
A
mA
V
Conditions
Cob
35
pF
I
C
=
50
μ
A
I
C
=
5mA
V
CB
=
100V
V
EB
=
7V
I
C
/I
B
=
1A/
1mA
V
CE
=
2V , I
C
=
1A
V
CB
=
10V , I
E
=
0A , f
=
1MHz
*
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current
transfer ratio
Output capacitance
Measured using pulse current.
*
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PDF描述
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參數(shù)描述
2SB1580T100 功能描述:達(dá)林頓晶體管 DARL PNP 100V 2A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SB1585 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SB1587 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:TRANS PNP DARL 150V 8A TO3PF
2SB1588 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:TRANS PNP DARL 150V 10A TO3PF
2SB158900L 功能描述:TRANS PNP LF 10VCEO 1.5A MINIPWR RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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