參數(shù)資料
型號： 2SB1530
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon PNP Triple Diffused(三倍擴散NPN晶體管)
中文描述： 三重擴散硅進步黨（三倍擴散npn型晶體管）
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 32K
代理商： 2SB1530
2SB1530
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
C(peak)
P
C
P
C
*
Tj
–200
V
Collector to emitter voltage
–150
V
Emitter to base voltage
–6
V
Collector current
–2
A
Collector peak current
–5
A
Collector power dissipation
1.5
W
1
20
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
Note:
1. Value at T
C
= 25
°
C.
Tstg
–45 to +150
Electrical Characteristics
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
I
C
= –50 mA, R
BE
=
∞
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
–150
—
—
V
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
–6
—
—
V
I
E
= –5 mA, I
C
= 0
Collector cutoff current
I
CBO
h
FE1
*
h
FE2
V
CE(sat)
—
—
–1
μ
A
V
CB
= –120 V, I
E
= 0
V
CE
= –4 V, I
C
= –50 mA
V
CE
= –10 V, I
C
= –500 mA*
I
C
= –500 mA, I
B
= –50 mA
DC current transfer ratio
1
60
—
200
60
—
—
2
Collector to emitter saturation
voltage
—
—
–3
V
Base to emitter voltage
Notes: 1. The 2SB1530 is grouped by h
FE1
as follows.
V
BE
—
—
–1
V
I
CE
= –4 A, I
C
= –50 mA
B
C
60 to 120
100 to 200
2. Pulse test.
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PDF描述
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2SB1548A-P 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
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