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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1499A |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | MT4, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 164K |
| 代理商： | 2SB1499A |
2
Power Transistors
2SB1499, 2SB1499A
PC —Ta
IC —VCE
IC —VBE
VCE(sat) —IC
hFE —IC
fT —IC
Area of safe operation (ASO)
Rth(t) —t
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
20
15
5
10
(1) T
C=Ta
(2) Without heat sink
(P
C=2.0W)
(1)
(2)
Ambient temperature Ta (C)
Collector
power
dissipation
P
C
(W
)
0
–12
–10
–8
–2
–6
–4
0
–6
–5
–4
–3
–2
–1
T
C=25C
–100mA
–80mA
–60mA
–40mA
–20mA
–10mA
–8mA
–5mA
I
B=–120mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
Collector
current
I
C
(A
)
0
–2.0
–1.6
– 0.4
–1.2
– 0.8
0
–10
–8
–6
–4
–2
T
C=100C
–25C
25C
V
CE=–4V
Base to emitter voltage V
BE
(V)
Collector
current
I
C
(A
)
– 0.01
– 0.1
–1
–10
– 0.03
– 0.3
–3
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
I
C/IB=10
25C
T
C=100C
–25C
Collector current I
C
(A)
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
– 0.01
– 0.1
–1
–10
– 0.03
– 0.3
–3
1
3
10
30
100
300
1000
3000
10000
V
CE=–4V
T
C=100C
25C
–25C
Collector current I
C
(A)
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
– 0.01
– 0.1
–1
–10
– 0.03
– 0.3
–3
1
3
10
30
100
300
1000
3000
10000
V
CE=–5V
f=10MHz
T
C=25C
Collector current I
C
(A)
Transition
frequency
f
T
(MHz
)
–1
–10
–100
–1000
–3
–30
–300
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
10ms
t=1ms
I
CP
2SB1499A
2SB1499
I
C
Non repetitive pulse
T
C=25C
DC
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
Collector
current
I
C
(A
)
10–4
10
10–3
10–1
10–2
1103
102
104
0.1
1
10
100
10000
1000
(1)
(2)
Note: R
th was measured at Ta=25C and under natural convection.
(1) Without heat sink
(2) With a 50
× 50 × 2mm Al heat sink
Time t (s)
Thermal
resistance
R
th
(t)
(C/W
)
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
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http://panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1499AP | 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1505-E | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1505-D | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1505-E | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1517T105P | 3 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB15040QA | 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 8A MT-3 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB15040RA | 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 8A MT-3 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1548 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR SUBBING WITH 2SB1548A-P |
| 2SB1548A | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1548AP | 功能描述:TRANS PNP LF 80VCEO 3A TO-220D RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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