型號: | 2SB1477/DE |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | 5 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
文件頁數(shù): | 1/1頁 |
文件大小: | 37K |
代理商: | 2SB1477/DE |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
2SA1789/EF | 12 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
2SC4277F31/AB | 5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
2SB1345F31D | 7 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
2SD2236/D | 5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
2SA1633/EF | 10 A, 150 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
2SB1481(Q) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -100V -4A 2000 TO220NIS 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -100V -4A 2000 TO220NIS Bulk 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Semi, Bipolar, Transistor, PNP, Power, D |
2SB1481(TOJS,Q,M) | 功能描述:TRANS PNP 4A 100V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):4A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 6mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):2μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):2000 @ 3A,2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:1 |
2SB14880PA | 功能描述:TRANS PNP 400VCEO 500MA MT-2 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
2SB1495(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Semi, Bipolar, Transistor, PNP, Power, D |
2SB1495,Q(J | 功能描述:TRANS PNP 3A 100V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 1.5mA,1.5A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):2000 @ 2A,2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:1 |