參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1453
廠商： NEC Corp.
英文描述： PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING
中文描述： 進(jìn)步黨硅外延高功率晶體管的高速開關(guān)
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 130K
代理商： 2SB1453
Data Sheet D16129EJ2V0DS
2
2SB1453
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25
°
C)
Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Collector cutoff current
I
CBO
V
CB
=
60 V, I
E
= 0
10
μ
A
DC current gain
h
FE1
**
V
CE
=
5.0 V, I
C
=
0.5 A
100
400
DC current gain
h
FE2
**
V
CE
=
5 V, I
C
=
3 A
20
Collector saturation voltage
V
CE(sat)
**
I
C
=
3.0 A, I
B
=
300 mA
1.0
V
Base saturation voltage
V
BE(sat)
**
I
C
=
3.0 A, I
B
=
300 mA
2.0
V
Gain bandwidth product
f
T
V
CE
=
5.0 V, I
C
=
0.5 A
5
MHz
Collector capacitance
C
ob
V
CB
=
10 V, I
E
= 0, f = 1.0 MHz
80
pF
Turn-on time
t
on
0.4
μ
s
Storage time
t
stg
1.7
μ
s
Fall time
t
f
I
C
=
2.0 A, I
B1
=
I
B2
=
200 mA,
R
L
= 15
, V
CC
30 V
Refer to the test circuit.
0.5
μ
s
** Pulse test PW
≤
350
μ
s, duty cycle
≤
2%
SWITCHING TIME (t
on
, t
stg
, t
f
) TEST CIRCUIT
Base current
waveform
Collector current
waveform
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1475 PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER
2SB1475B42 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset
2SB1475B43 BJT
2SB1475B44 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset
2SB1494 Silicon PNP Triple Diffused
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1453-K-AZ 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SB1457(T6CANO,F,M 功能描述:TRANS PNP 2A 100V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SB1457(T6CNO,A,F) 功能描述:TRANS PNP 2A 100V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SB1457(T6DW,F,M) 功能描述:TRANS PNP 2A 100V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SB1457(TE6,F,M) 功能描述:TRANS PNP 2A 100V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*