參數(shù)資料
型號: 2SB1434R
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: ROHS COMPLIANT, MT-2-A1, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/4頁
文件大小: 235K
代理商: 2SB1434R
2SB1434
2
SJC00083BED
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Copper plate at the collector
is more than 1 cm2 in area,
1.7 mm in thickness.
Ambient temperature T
a (°C)
Collector
power
dissipation
P
C
(W
)
0
–10
–2
–4
–8
–6
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
Collector-emitter voltage V
CE (V)
Collector
current
I
C
(A
)
Ta
= 25°C
IB
= 8 mA
1 mA
2 mA
3 mA
4 mA
5 mA
6 mA
7 mA
0.001
1
10
1
10
Ta
= 100°C
25
°C
25°C
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current IC (A)
IC
/ I
B
= 20
0.01
0.1
1
10
100
1
10
Ta
= 25°C
25
°C
75
°C
0.01
0.1
Base-emitter
saturation
voltage
V
BE(sat)
(V
)
Collector current IC (A)
IC
/ I
B
= 20
0.01
0.1
1
10
0
100
200
300
500
400
VCE
= 2 V
Ta
= 100°C
25
°C
25°C
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
0.01
0.1
Collector current IC (A)
1
10
100
0
40
80
120
200
160
Transition
frequency
f
T
(MHz
)
Emitter current I
E (mA)
VCB
= 10 V
Ta
= 25°C
0
1
240
200
160
120
80
40
10
100
IE
= 0
f
= 1 MHz
Ta
= 25°C
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
Collector-base voltage V
CB (V)
VBE(sat) IC
hFE IC
fT IE
PC Ta
IC VCE
VCE(sat) IC
Cob VCB
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1434S 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1436C6/R 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126FP
2SB1436C6/PR 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126FP
2SB1463GS 50 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1463GR 50 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB14350RA 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 2A MT-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1438 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTORSUB:2SA1315
2SB14380RA 功能描述:TRANS PNP 100VCEO 2A MT-2 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB14400RL 功能描述:TRANS PNP LF 50VCEO 2A MINI-PWR RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1440GRL 功能描述:TRANS PNP LF 50VCEO 2A MINI-PWR RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR