參數(shù)資料
型號： 2SB1418AP
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 2 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, MT-4-A1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 241K
代理商： 2SB1418AP
2SB1418, 2SB1418A
2
SJD00073BED
IC VBE
hFE IC
Cob VCB
PC Ta
IC VCE
VCE(sat) IC
Safe operation area
Rth t
0
160
40
120
80
5
15
10
20
Collector
power
dissipation
P
C
(W)
Ambient temperature T
a (°C)
(1)TC=Ta
(2)Without heat sink
(PC=2.0W)
(1)
(2)
0
12
2
10
4
8
6
5
4
3
2
1
Collector
current
I
C
(A)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
TC=25C
0.2mA
0.4mA
0.6mA
0.8mA
1.0mA
1.2mA
1.4mA
1.6mA
1.8mA
IB=2.0mA
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
IC/IB=250
25C
TC=100C
–25C
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V)
Collector current I
C (A)
0
6
5
4
3
2
1
4
1
3
2
TC=100C
–25C
25C
VCE=–4V
Base-emitter voltage V
BE (V)
Collector
current
I
C
(A)
0.01
0.1
1
10
102
103
104
105
VCE=–4V
TC=100C
25C
–25C
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (A)
1
10
100
1
1 000
100
10
IE=0
f=1MHz
TC=25C
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
Collector-base voltage V
CB (V)
0.01
1
0.1
1
10
100
10
100
1000
Collector
current
I
C
(A)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
t=1ms
ICP
IC
t=10ms
2SB1418A
2SB1418
Non repetitive pulse
TC=25C
DC
101
1
10
102
104
103
104
103
102
10
1
101
102
103
Time t (s)
Thermal
resistance
R
th
(°
C/W)
Note: Rth was measured at Ta=25C and under natural convection.
(1)Without heat sink
(2)With a 50
×50×2mm Al heat sink
(1)
(2)
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1418P 2 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1426T92/QR 3000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SB1426T92/P 3000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SB1426T92/PR 3000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SB1426T91/R 3000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1418APA 功能描述:TRANS PNP 80VCEO 2A MT-4 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1418AQA 功能描述:TRANS PNP LF 80VCEO 2A MT-4 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1420 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:Box 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:Bulk 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:TRANS PNP DARL 120V 16A TO3P
2SB1424T100P 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:2SB1424T100P
2SB1424T100Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 3A SO-89 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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