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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SB1407(S)C |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | DPAK-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 31K |
| 代理商： | 2SB1407(S)C |
2SB1407(L)/(S)
Silicon PNP Epitaxial
ADE-208-876 (Z)
1st. Edition
Sep. 2000
Application
Low frequency power amplifier complementary Pair with 2SD2121(L)/(S)
Outline
4
12
3
4
3
2
1
1. Base
2. Collector
3. Emitter
4. Collector
DPAK
S Type
L Type
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1427T100 | 2000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1434R | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1434S | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1436C6/R | 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126FP |
| 2SB1436C6/PR | 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126FP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1412TL/Q | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SB1412TLQ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1412TLR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1412TRR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP LOW VCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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