參數(shù)資料
型號(hào): 2SB1401
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon PNP Triple Diffused(三倍擴(kuò)散PNP晶體管)
中文描述: 三重?cái)U(kuò)散硅進(jìn)步黨(三倍擴(kuò)散進(jìn)步黨晶體管)
文件頁(yè)數(shù): 3/5頁(yè)
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代理商: 2SB1401
2SB1401
3
Maximum Collector Dissipation Curve
30
20
10
0
50
100
150
Case temperature T
C
(
°
C)
C
C
T
C
= 25
°
C
I
B
= 0
–20
μ
A
–40
–60
–0
–140
–500
–400
–300
–200
–100
0
–1
C
C
–2
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
–3
–5
–4
Typical Output Characteristics
10000
5000
2000
1000
500
100
200
50
–1
–10
–100
–2
–20
D
F
–5
–50
–1000
–200 –500
Collector current I
C
(mA)
°
C
–25
°
C
V
= –1.5 V
Pulse
Tc25
°
C
DC Current Transfer Ratio vs.
Collector Current
Saturation Voltage vs.
Collector Current
T
C
= 25
°
C
–10
–5
–0.5
–1.0
–2
–0.2
C
C
B
B
–0.1
–10
Collector current I
C
(mA)
–100
–5
–200
–1000
–500
–50
–20
V
BE(sat)
V
CE(sat)
I
C
/
I
B
= 200
500
200
10
3
1.0
0.3
0.11m
10m
100m
1.0
10
100
1000
T
C
= 25
°
C
T
j
(
°
C
Transient Thermal Resistance
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2SB1412TLQ 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1412TLR 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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