參數(shù)資料
型號： 2SB1307M/PQ
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 101K
代理商： 2SB1307M/PQ
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PDF描述
2SB1307MP 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1460TV4E 2000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC3270MC2P 100 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4295MQ 100 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1864TV4P 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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2SB1308T100Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1308T100R 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1316TL 功能描述:達林頓晶體管 D-PACK BCE PNP DARL SMT RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SB1319 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANS. M-TYPE -30V -5A 1W BCE
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