參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1302-T
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PCP, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 80K
代理商： 2SB1302-T
2SB1302
No.2555-2/4
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=--20V, IE=0A
--500
nA
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=--4V, IC=0A
--500
nA
DC Current Gain
hFE1VCE=--2V, IC=--500mA
100*
400*
hFE2VCE=--2V, IC=--4A
60
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=--5V, IC=--200mA
320
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=--10V, f=1MHz
60
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=--3A, IB=--60mA
--250
--500
mV
Base-to-Emitterr Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=--3A, IB=--60mA
--1.0
--1.3
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=--10μA, IE=0A
--25
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=--1mA, RBE=∞
--20
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=--10μA, IC=0A
--5
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
40
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
200
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
10
ns
*: The 2SB1302 is classified by 500mA hFE as follows:
Rank
R
S
T
hFE
100 to 200
140 to 280
200 to 400
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm (typ)
7007B-004
VR
RB
VCC= --10V
VBE=5V
+
50Ω
INPUT
OUTPUT
RL
100μF470μF
PW=20μs
IB1
D.C.≤1%
IB2
IC=10IB1= --10IB2= --2A
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PDF描述
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2SB1308R 3000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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2SB1308T100P 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1308T100Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1308T100R 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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