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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1299Q |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SC-67, TO-220F-A1, FULL PACK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 250K |
| 代理商： | 2SB1299Q |
2SB1299
2
SJD00065BED
VCE(sat) IC
hFE IC
fT IC
PC Ta
IC VCE
IC VBE
Cob VCB
ton, tstg, tf IC
Safe operation area
0
160
40
120
80
0
60
50
40
30
20
10
Collector
power
dissipation
P
C
(W)
Ambient temperature T
a (°C)
(1)TC=Ta
(2)With a 100
×100×2mm
Al heat sink
(3)With a 50
×50×2mm
Al heat sink
(4)Without heat sink
(PC=2W)
(1)
(2)
(3)
(4)
0
12
2
10
4
8
6
5
4
3
2
1
Collector
current
I
C
(A)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
TC=25C
80mA
60mA
40mA
20mA
10mA
5mA
2mA
IB=100mA
0
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
6
5
4
3
2
1
Base-emitter voltage V
BE (V)
Collector
current
I
C
(A)
VCE=–4V
25C
–25C
TC=125C
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V)
Collector current I
C (A)
IC/IB=40
TC=100C
25C
–25C
10
104
103
102
0.01
0.1
1
10
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (A)
VCE=–4V
TC=100C
25C
–25C
0.01
0.1
1
10
1
1 000
100
10
Collector current I
C (A)
Transition
frequency
f
T
(MHz)
VCE=–12V
f=10MHz
TC=25C
1
10
100
1
1 000
100
10
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
Collector-base voltage V
CB (V)
IE=0
f=1MHz
TC=25C
0
8
2
6
4
0.01
0.1
1
10
100
tstg
ton
tf
Pulsed tw=1ms
Duty cycle=1%
IC/IB=40
(–IB1=IB2)
VCC=–50V
TC=25C
Turn-on
time
t
on
,
Storage
time
t
stg
,
Fall
time
t
f
(
s)
Collector current I
C (A)
1
10
100
1000
0.01
10
1
0.1
Non
repetitive
pulse
TC=25C
t=1ms
ICP
IC
t=10ms
DC
Collector
current
I
C
(A)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1309P | 0.7 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126F |
| 2SB1316F5TLA | 2000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1320R | 100 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1322AQ | 1000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1326TV2R | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1301-T2 | 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SB1302S-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1302T-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1308T100P | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1308T100Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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