參數(shù)資料
型號： 2SB1282
廠商： Shindengen Electric Manufacturing Company, Ltd.
英文描述： Darlington Transistor(【 4A PNP)
中文描述： 達林頓晶體管（【第4A進步黨）
文件頁數(shù)： 9/9頁
文件大?。?/td> 430K
代理商： 2SB1282
-10
-8
-6
-4
-2
0
-140
-120
-100
-80
-60
-40
-20
0
2SB1282
I
B1
=
0.005I
C
I
B2
=
40mA
V
BB2
=
5V
Tc < 150
°
C
Reverse Bias SOA
Collector-Emitter Voltage V
CE
[V]
C
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1283 Darlington Transistor(-7A PNP)
2SB1284 Darlington Transistor(-10A PNP)
2SB1285 Darlington Transistor(-15A PNP)
2SB1288 Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency power amplification)
2SB1297 Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency output amplification)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1282-4100 功能描述:達林頓晶體管 V=-100 IC=4 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SB1283 制造商:Shindengen 功能描述:
2SB1284-4000 功能描述:達林頓晶體管 VCEO=-100 IC=-10 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SB1285-7100 功能描述:達林頓晶體管 VCEO=-100 IC=-15 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SB1285-7112 功能描述:達林頓晶體管 VCEO=-100 IC=-15 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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