參數(shù)資料
型號： 2SB1270Q
廠商： SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-220MF, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 50K
代理商： 2SB1270Q
2SB1270/2SD1906
No.2266–2/4
Switching Time Test Circuit
r
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t
e
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a
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Pl
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b
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(
E
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IC
I
,
A
3
)
–
(
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B
A
3
.
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)
–
(
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4
.
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)
5
.
0
–
(V
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V
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B
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o
CV
O
B
C
)
R
B
(
IC
I
,
A
m
1
)
–
(
=
E 0
=0
9
)
–
(V
e
g
a
t
l
o
V
n
w
o
d
k
a
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B
r
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t
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m
E
-
o
t
-
r
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t
c
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ll
o
CV
O
E
C
)
R
B
(
IC
R
,
A
m
1
)
–
(
=
E
B =∞
0
8
)
–
(V
e
g
a
t
l
o
V
n
w
o
d
k
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B
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s
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B
-
o
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-
r
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t
i
m
EV
O
B
E
)
R
B
(
IE
I
,
A
m
1
)
–
(
=
C 0
=6
)
–
(V
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c
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e
S
)
2
.
0
(s
4
.
0s
Continued from preceding page.
VR
RB
VCC=50V
VBE= --5V
+
50Ω
INPUT
OUTPUT
RL
25Ω
100μF
470μF
PW=20μs
IB1
D.C.≤1%
IB2
(For PNP, the polarity is reversed.)
10Ω
ITR09502
ITR09503
IC -- VCE
0
--0.4
--0.2
--0.8
--0.6
--1.2
--1.0
--1.6
--1.8
--1.4
--2.0
0
--1.0
--0.5
--1.5
--2.0
--3.0
--2.5
--3.5
--4.0
--4.5
--5.0
IB=0
--80mA
--100mA
IC -- VCE
2SB1270
From top
--200mA
--180mA
--160mA
--140mA
--120mA
0
0.4
0.2
0.8
0.6
1.2
1.4
1.0
1.6
1.8
2.0
0
1.0
0.5
1.5
2.0
3.0
2.5
3.5
4.0
4.5
5.0
IB=0
20mA
100mA
140mA
200mA
2SD1906
ITR09505
IC -- VCE
0
0.4
0.6
0.2
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0
2
1
3
4
6
5
7
8
9
10
IB=0
ITR09504
IC -- VCE
0
--0.4
--0.2
--0.8
--1.0
--0.6
--1.2
--1.4
--1.6
--1.8
--2.0
0
--2
--1
--3
--4
--6
--5
--7
--8
--9
--10
IB=0
--100mA
--200mA
2SB1270
From top
--1A
--900mA
--800mA
--700mA
--600mA
--500mA
2SD1906
--300mA
--60mA
--40mA
--20mA
40mA
60m
A
80mA
120mA
160mA
180mA
--400mA
1A 900mA800mA 700mA
600mA
500mA
400mA
300mA
200mA
100mA
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1270 5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1906-S 5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1270-S 5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1906-Q 5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1270-R 5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
2SB1274 制造商:n/a 功能描述:2SB1274 N9H1D
2SB1274R 功能描述:TRANS PNP 60V 3A TO-220ML RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1274S 功能描述:TRANS PNP 60V 3A TO-220ML RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1275TLP 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 160V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1278 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANSISTOR FTL -80V -.7A .75W ECB
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