參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1269
廠商： SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： TO-220MF, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 36K
代理商： 2SB1269
2SB1269/2SD1905
No.2265–3/4
VCE(sat) -- IC
ITR09497
ITR09494
ITR09495
ITR09496
VCE(sat) -- IC
--0.1
57
7
3
--1.0
25
3
--10
22
5
3
2
3
7
5
--1.0
2
5
2
3
5
--0.1
0.1
0.01
2
25 7
7
3
1.0
25
3
10
22
5
3
5
1.0
2
5
0.1
2
3
5
7
3
7
0.01
hFE -- IC
23
57
7
23
5
22
3
5
--1.0
--10
--0.1
100
3
2
5
3
2
5
10
3
2
5
7
3
57
7
23
5
22
3
5
1.0
10
0.1
100
3
2
5
3
2
5
10
3
2
5
7
hFE -- IC
IC / IB=20
IC / IB=10
IC /
IB=20
I C
/ I B
=10
ITR09498
A S O
10ms
1ms
DC
operation
100ms
ICP=–12A
IC=–7A
--1.0
7
--10
57
2
3
--100
57
23
--0.1
--1.0
2
5
3
7
2
5
3
--10
ITR09499
A S O
10ms 1ms
DC
operation
100ms
ICP=12A
IC=7A
1.0
7
10
57
2
3
100
57
23
0.1
1.0
2
5
3
7
2
5
3
10
2SB1269
2SD1905
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0.4
1.2
1.6
1.65
2.0
0.8
PC -- Ta
ITR09500
No
heat
sink
Ideal
rediation
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
10
20
30
40
50
PC -- Ta
ITR09501
2SB1269 / 2SD1905
VCE= --2V
2SB1269
VCE=2V
2SD1905
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC – A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC – A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
V
Collector Current, IC – A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
V
1ms to 100ms : single pulse
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Current,
I C
–
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Current,
I C
–
A
Collector
Dissipation,
P
C
–
W
Ambient Temperature, Ta –C
Collector
Dissipation,
P
C
–
W
Ambient Temperature, Ta –C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1905 7 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SB1269Q 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SD1905R 7 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SD1922 800 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SD1934P 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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2SB1274 制造商:n/a 功能描述:2SB1274 N9H1D
2SB1274R 功能描述:TRANS PNP 60V 3A TO-220ML RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1274S 功能描述:TRANS PNP 60V 3A TO-220ML RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1275TLP 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 160V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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