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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1260G-Q-TN3-R |
| 廠商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 1 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| 封裝： | HALOGEN FREE PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 230K |
| 代理商： | 2SB1260G-Q-TN3-R |
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SB1260
PNP SILICON TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
1 of 4
Copyright 2008 Unisonic Technologies Co., Ltd
QW-R208-017,E
POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC 2SB1260 is a epitaxial planar type PNP silicon
transistor.
FEATURES
* High breakdown voltage and high current.
* BVCEO= -80V, IC= -1A
* Good hFE linearity.
* Low VCE(SAT)
Lead-free:
2SB1260L
Halogen-free: 2SB1260G
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Pin Assignment
Normal
Lead Free
Halogen Free
Package
1
2
3
Packing
2SB1260-x-AB3-R
2SB1260L-x-AB3-R
2SB1260G-x-AB3-R
SOT-89
B
C
E
Tape Reel
2SB1260-x-TN3-R
2SB1260L-x-TN3-R
2SB1260G-x-TN3-R
TO-252
B
C
E
Tape Reel
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1260G-P-TN3-R | 1 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| 2SB1260G-R-TN3-R | 1 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| 2SB1260T100Q | 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1260T100/Q | 1 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1261-Z-T1K | 3000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1260T100 | 制造商:Rohm 功能描述:PNP Cut Tape |
| 2SB1260T100P | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1260T100Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 80V 1A SO-89 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1260T100R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1261-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:PNP PWR Transistor,60V,3.0A,TO-252 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT PNP 60V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 |
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