參數(shù)資料
型號： 2SB1260G-P-TN3-R
廠商： UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 1 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
封裝： HALOGEN FREE PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 230K
代理商： 2SB1260G-P-TN3-R
2SB1260
PNP SILICON TRANSISTOR
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
3 of 4
www.unisonic.com.tw
QW-R208-017,E
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TYPICAL CHARACTERICS
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1260G-R-TN3-R 1 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
2SB1260T100Q 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1260T100/Q 1 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1261-Z-T1K 3000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1261-Z-T2K 3000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
2SB1260T100 制造商:Rohm 功能描述:PNP Cut Tape
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2SB1260T100Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 80V 1A SO-89 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1260T100R 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1261-AZ 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:PNP PWR Transistor,60V,3.0A,TO-252 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT PNP 60V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252
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