- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄246846 > 2SB1238TV2Q 700 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1238TV2Q |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 700 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ATV, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 69K |
| 代理商： | 2SB1238TV2Q |
2SB1189 / 2SB1238
Transistors
Rev.A
1/2
Medium power transistor (
80V, 0.7A)
2SB1189 / 2SB1238
Features
1) High breakdown voltage, BVCEO=
80V, and
high current, IC=
0.7A.
2) Complements the 2SD1767 / 2SD1859.
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
Limits
80
5
0.7
2
1
150
55 to +150
Unit
V
A
0.5
2
1
2SB1238
2SB1189
W
°C
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Junction temperature
Storage temperature
Collector power
dissipation
1 When mounted on a 40×40×0.7 mm ceramic board.
2 Printed circuit board 1.7 mm thick, collector plating 1cm2 or larger.
Packaging specifications and hFE
Type
2SB1189
MPT3
QR
BD
T100
1000
2SB1238
ATV
QR
TV2
2500
Denotes hFE
Package
hFE
Marking
Code
Basic ordering unit (pieces)
External dimensions (Unit : mm)
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
0.45
1.05
Taping specifications
0.5
(1)
0.65Max.
2.54
(2)
2.54
(3)
6.8
1.0
14.5
0.9
4.4
2.5
2SB1189
ROHM : MPT3
EIAJ : SC-62
2SB1238
ROHM : ATV
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
1.5
0.4
1.5
0.4
1.6
0.5
3.0
0.4
1.5
(3)
4.5
(1)
(2)
0.5
4.0
2.5
1.0
Electrical characteristics (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE(sat)
fT
Cob
80
5
0.2
100
14
0.5
0.4
20
V
A
V
MHz
pF
IC
=50A
IC
=2mA
IE
=50A
VCB
=50V
VEB
=4V
hFE
120
390
VCE/IC
=3V/0.1A
IC/IB
=500mA/50mA
VCE
=10V, IE=50mA, f=100MHz
VCB
=10V, IE=0A, f=1MHz
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2219R-YB | 12 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N1015D | 7.5 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB919Q-YA | 8 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 2SB1482T105/PQ | 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4109N-RF | 16 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1238TV2R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 80V 0.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1239TV2 | 功能描述:達林頓晶體管 DARL PNP 40V 2A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2SB1240 | 制造商: 功能描述:Bipolar Junction Transistor, PNP Type, SIP |
| 2SB1240PRTV6 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1240TV2P | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRIVER PNP 32V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。