參數(shù)資料
型號: 2SB1237
廠商: Rohm CO.,LTD.
英文描述: Medium Power Transistor
中文描述: 中等功率晶體管
文件頁數(shù): 1/4頁
文件大?。?/td> 123K
代理商: 2SB1237
(96-120-B12)
External dimensions (Units: mm)
207
Transistors
Medium Power Transistor
(
32V,
1A)
2SB1132 / 2SA1515S / 2SB1237
Features
1) Low V
CE(sat)
.
V
CE(sat)
=
(I
C
/ I
B
= –500mA / –50mA)
2) Compliments 2SD1664 /
2SD1858.
0.2V (Typ.)
Structure
Epitaxial planar type
PNP silicon transistor
相關PDF資料
PDF描述
2SA1515S Medium Power Transistor(中等功率晶體管)
2SB1132P TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 1A I(C) | SC-62
2SB1132Q 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset
2SB1132R TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 1A I(C) | SC-62
2SB1133 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(POWER AMPLIFIER VERTICAL DEFLECTION OUTPUT)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1237TV2P 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRIVER PNP 32V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1237TV2Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRIVER PNP 32V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1237TV2R 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRIVER PNP 32V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1238QRTV2 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SB1238QS 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR