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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SB1203TTP |
| 廠商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分類(lèi)： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 5000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | TP, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/5頁(yè) |
| 文件大小： | 100K |
| 代理商： | 2SB1203TTP |
2SB1203/2SD1803
No.2085—3/5
--5
--4
--3
--2
--1
2SB1203
From top
--100mA
--90mA
--80mA
--70mA
--60mA
2SD1803
From top
50mA
45mA
40mA
35mA
30mA
IC -- VCE
IB=0
10mA
20mA
15mA
25mA
5mA
ITR09181
0
0--2.0
--1.6
--0.4
--0.8
--1.2
IC -- VCE
--10mA
--50mA
--20mA
--30mA
--40mA
IB=0
ITR09180
5
4
3
2
1
0
0.8
2.0
0.4
1.2
1.6
Collector
Current,
I C
—A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE —V
Collector
Current,
I C
—A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE —V
hFE -- IC
Ta=75°C
--25°C
25°C
Ta=75°C
--25°C
25
°C
ITR09186
100
1000
5
7
3
2
10
5
7
3
2
100
1000
5
7
3
2
10
5
7
3
2
0.01
0.1
1.0
--1.0
--0.1
3
25
57
3
25 7
--10
3
25 7
7
3
25
57
3
25 7
10
3
25 7
7
--0.01
hFE -- IC
ITR09187
2SB1203
VCE= --2V
2SD1803
VCE=2V
2SB1203
VCE= --2V
T
a=75
°C
--25
°C
25
°C
T
a=75
°C
--25
°C
25
°C
--6
--5
--4
--3
--1
--2
0
6
5
1
2
4
3
0
0--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.2
--1.0
IC -- VBE
ITR09184
2SD1803
VCE=2V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
1.0
IC -- VBE
ITR09185
--5
--4
--3
--2
--1
2SB1203
2SD1803
IC -- VCE
IB=0
30mA
25mA
20mA
15mA
10mA
5mA
ITR09183
0
0--10
--8
--2
--4
--6
IC -- VCE
--10mA
--15mA
--20mA
--25mA
--30mA
--5mA
IB=0
ITR09182
5
4
3
2
1
0
04
10
26
8
Collector
Current,
I C
—A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE —V
Collector
Current,
I C
—A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE —V
Collector
Current,
I C
—A
Base-to-Emitter Voltage, VBE —V
Collector
Current,
I C
—A
Base-to-Emitter Voltage, VBE —V
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC —A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC —A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1803RTP-FA | 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1803STP-FA | 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1803TP | 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1803TTP | 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1803RTP | 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 2SB1204S-TL-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1204T-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 8A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1204T-TL-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 8A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1205 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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