參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1203-TL-Q
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 5000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： TP-FA, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 111K
代理商： 2SB1203-TL-Q
2SB1203/2SD1803
No.2085–4/5
--0.1
--1.0
3
25
7
3
25
7
--10
3
25
7
2SB1203
VCE= --5V
f T -- IC
100
3
2
7
5
1000
3
2
7
5
10
ITR09188
0.1
1.0
3
25
7
3
25
7
10
3
25
7
2SD1803
VCE=5V
f T -- IC
100
3
2
7
5
1000
3
2
7
5
10
ITR09189
Collector Current, IC – A
Collector Current, IC –A
Gain-Bandwidth
Product,
f T
–
MHz
Gain-Bandwidth
Product,
f T
–
MHz
VBE(sat) -- IC
--1.0
--10
5
7
3
5
7
3
2
1.0
10
7
5
3
7
5
3
2
2SD1667
ITR09194
VBE(sat) -- IC
ITR09195
Ta= --25°C
25°C
2SB1203
IC / IB=20
2SD1803
IC / IB=20
75°C
Ta=75
°C
--25
°C
Ta=75
°C
--25°
C
Ta= --25°C
25°C
75°C
VCE(sat) -- IC
--0.1
--0.01
23
5
57
2
3
5 7
7
--1.0
23
5 7 --10
--1000
5
3
2
7
5
3
2
5
3
2
7
--100
--10
VCE(sat) -- IC
ITR09192
ITR09193
0.01
0.1
72
3
5
57
2
3
5 7 1.0
23
5 7 10
--0.1
--0.01
23
5
57
2
3
5 7
7
--1.0
23
5 7 --10
0.01
0.1
72
3
5
57
2
3
5 7 1.0
23
5 7 10
1000
5
3
7
2
5
3
7
2
5
3
2
100
10
25
°C
2SB1203
IC / IB=20
2SD1803
IC / IB=20
25
°C
Cob -- VCB
37
2
1.0
10
53
7
25
7
5
100
ITR09191
2SD1803
f=1MHz
Cob -- VCB
3
2
7
5
3
2
5
100
10
3
2
7
5
3
2
5
100
10
37
2
--1.0
--10
53
7
25
7
5
--100
ITR09190
2SB1203
f=1MHz
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
m
V
Collector Current, IC –A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
m
V
Collector Current, IC –A
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
–
V
Collector Current, IC –A
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
–
V
Collector Current, IC –A
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PDF描述
2SB1203-TL-R 5000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1803R 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1803T 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1803-TL 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1803Q 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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2SB1203T-TL-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1204S-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 8A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1204S-TL-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1204T-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 8A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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