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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1186 |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | Power Transistor |
| 中文描述： | 功率晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 43K |
| 代理商： | 2SB1186 |
(94L-268-A56)
(96-175-C56)
276
Transistors
2SB1236 / 2SB1186
2SC4132 / 2SD1857 / 2SD2343 / 2SD1763
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1236 | Power Transistor |
| 2SD1763 | Power Transistor |
| 2SD1857 | Power Transistor |
| 2SB1197K | Low Frequency Transistor(-32V, -0.8A) |
| 2SB1198 | Low-frequency Transistor(-80V, -0.5A) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1186A | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:POWER TRANSISTOR |
| 2SB1186AE | 功能描述:TRANS DRVR PNP 160V 1.5A TO220FP RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1187 | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon PNP Power Transistors |
| 2SB1187DEF | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1187F | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR SUB: 2SB1187DEF |
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