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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1185C7/F |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 3 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
| 封裝： | TO-220FP, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 110K |
| 代理商： | 2SB1185C7/F |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4355T114/G | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1833C7/DE | 7 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
| 2SD1778AD | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 2SD1778AF | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 2SD1896C7F | 5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1186 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-220FP -120V -1.5A 20W BCE |
| 2SB1186A | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:POWER TRANSISTOR |
| 2SB1186AE | 功能描述:TRANS DRVR PNP 160V 1.5A TO220FP RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1187 | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon PNP Power Transistors |
| 2SB1187DEF | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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