參數(shù)資料
型號： 2SB1185
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Power Transistor (-60V, -3A)
中文描述： 功率晶體管（- 60V的，- 3A）條
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大小： 244K
代理商： 2SB1185
2SB1184 / 2SB1243
Transistors
Power Transistor (
60V,
3A)
1/3
2SB1184 / 2SB1243
!
Features
1) Low V
CE(sat)
.
V
CE(sat)
= -0.5V (Typ.)
(I
C
/I
B
= -2A / -0.2A)
2) Complements the 2SD1760 / 2SD1864.
!
Structure
Epitaxial planar type
PNP silicon transistor
!
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
!
External dimensions
(Units : mm)
2SB1184
2SB1243
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
ROHM : CPT3
EIAJ : SC-63
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
ROHM :
ATV
0.1
+
0.2
0.1
+
0.2
+
0
5
0
2.3
±
0.2
2.3
±
0.2
0.65
±
0.1
0.9
0.75
1.0
±
0.2
0.55
±
0.1
9
±
0
1
±
0
2
1
2.3
0.5
±
0.1
6.5
±
0.2
5.1
C0.5
(3)
(2)
(1)
0
1
6.8
±
0.2
2.5
±
0.2
1.05
0.45
±
0.1
2.54 2.54
0.5
±
0.1
0
4
±
0
1
±
0
(1)
(2)
(3)
0.65Max.
Parameter
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
Tj
Tstg
60
V
V
V
A (DC)
°
C
°
C
50
5
3
I
CP
A (Pulse)
W
W (T
C
=
25
°
C)
W
4.5
1
15
1
1
2SB1184
2SB1243
2
150
55~
+
150
Symbol
Limits
Unit
1 Single pulse, Pw
=
100ms
2 Printed circuit board, 1.7mm thick, collector copper plating 100mm
2
or larger.
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1244 LOW FREQUENCY HIGH VOLTAGE AMPLIFIER
2SB1245 LOW FREQUENCY HIGH VOLTAGE AMPLIFIER
2SB1257 Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor（Darlington）(硅PNP外延平面晶體管（達(dá)林頓）)
2SB1258 Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor（Darlington）(硅PNP外延平面晶體管（達(dá)林頓）)
2SB1259 Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor（Darlington）(硅PNP外延平面晶體管（達(dá)林頓）)
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參數(shù)描述
2SB1186 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-220FP -120V -1.5A 20W BCE
2SB1186A 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:POWER TRANSISTOR
2SB1186AE 功能描述:TRANS DRVR PNP 160V 1.5A TO220FP RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1187 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon PNP Power Transistors
2SB1187DEF 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
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