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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1182TR/PQ |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 117K |
| 代理商： | 2SB1182TR/PQ |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1767T101/QR | 0.7 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2167T100/PQ | 2 A, 27 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2211T100/NP | 1.5 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1561T101/P | 2 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1918TL/N | 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1183 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANSISTOR CPT -40V -2A 15W BCE |
| 2SB1183F5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 40V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252 |
| 2SB1183TL | 功能描述:達林頓晶體管 DVR PNP 40V 2A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2SB1184 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Power Transistor (−60V, −3A) |
| 2SB1184_1 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Power Transistor (−60V, −3A) |
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