參數(shù)資料
型號: 2SB1154
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: FILTER PLATE
中文描述: 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: ROHS COMPLIANT, SC-92, TOP-3F-A1, FULL PACK-3
文件頁數(shù): 3/3頁
文件大?。?/td> 61K
代理商: 2SB1154
3
Power Transistors
2SB1154
R
th(t)
— t
10
–4
10
10
–3
10
–1
10
–2
1
10
3
10
2
10
4
0.1
1
10
100
10000
1000
Note: R
was measured at Ta=25C and under natural convection.
(1) P
T
=10V
×
0.3A (3W) and without heat sink
(2) P
T
=10V
×
1.0A (10W) and with a 100
×
100
×
2mm Al heat sink
(1)
(2)
Time t (s)
T
t
(
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1156 FILTER PLATE
2SB1163 SI NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR HIGH POWER AMPLIFIER
2SA666 SI PNP EPITAXIAL PLANAR
2SA666A SI PNP EPITAXIAL PLANAR
2SD1718 SI NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR HIGH POWER AMPLIFIER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB11540Q 功能描述:TRANS PNP 80VCEO 10A TOP-3F RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1154P 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-247VAR
2SB1154Q 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-247VAR
2SB1154R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-247VAR
2SB1155 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type(For power switching)