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    參數(shù)資料
    型號: 2SB1133Q
    元件分類: 功率晶體管
    英文描述: 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
    封裝: TO-220ML, 3 PIN
    文件頁數(shù): 2/4頁
    文件大?。?/td> 35K
    代理商: 2SB1133Q
    2SB1133 / 2SD1666
    No.3031-2/4
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    Parameter
    Symbol
    Conditions
    Ratings
    Unit
    min
    typ
    max
    Gain-Bandwidth Product
    fT
    VCE=(--)5V, IC=(--)0.5A
    (40)8
    MHz
    Output Capacitance
    Cob
    VCB=(--)10V, f=1MHz
    (110)60
    pF
    Collector-to-Emitter Saturation Voltage
    VCE(sat)
    IC=(--)2A, IB=(--)0.2A
    (--)0.6
    (--)1
    V
    Base-to-Emitter Saturation Voltage
    VBE
    VCE=(--)5V, IC=(--)0.5A
    (--)0.7
    (--)1
    V
    Collector-to-Base Breakdown Voltage
    V(BR)CBO
    IC=(--)1mA, IE=0
    (--)60
    V
    Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
    V(BR)CEO
    IC=(--)5mA, RBE=∞
    (--)60
    V
    Emitter-to-Base Breakdown Voltage
    V(BR)EBO
    IE=(--)1mA, IC=0
    (--)6
    V
    0
    --0.5
    --1.0
    --1.5
    --2.0
    --2.5
    --3.0
    IC -- VCE
    0
    --1
    --2
    --3
    --4
    --6
    --5
    0
    --1.6
    --1.2
    --0.8
    --0.4
    --2.0
    --2.6
    --3.2
    --2.8
    --3.6
    IC -- VBE(on)
    IB=0
    --20mA
    --25mA
    --10mA
    --15mA
    --5mA
    --30mA
    --35mA
    0
    --0.2
    --0.4
    --0.6
    --0.8
    --1.0
    --1.2
    --1.4
    2SB1133
    VCE= --5V
    --50mA
    --40mA
    --45mA
    0
    0.5
    1.0
    1.5
    2.0
    2.5
    3.0
    IC -- VCE
    0
    1.0
    2.0
    3.0
    4.0
    6.0
    5.0
    IB=0
    20mA
    25mA
    10mA
    15mA
    5mA
    30mA
    35mA
    40mA
    50mA
    45mA
    0
    1.6
    1.2
    0.8
    0.4
    2.0
    2.6
    3.2
    2.8
    3.6
    IC -- VBE(on)
    0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1.0
    1.2
    1.4
    2SD1666
    VCE=5V
    T
    a=120
    °C
    25
    °C
    --40
    °C
    T
    a=120
    °C
    25
    °C
    --40
    °C
    --0.01
    23
    5
    7
    23
    5
    2
    3
    5
    7
    --0.1
    --1.0
    100
    5
    2
    3
    5
    7
    3
    hFE -- IC
    0.01
    23
    5
    0.1
    23
    5
    2
    3
    5
    1.0
    100
    5
    2
    3
    5
    hFE -- IC
    Ta=120
    °C
    25
    °C
    --40
    °C
    Ta=120
    °C
    25°C
    --40°C
    2SD1666
    VCE=5V
    2SB1133
    VCE= --5V
    Collector to Emitter Voltage, VCE -- V
    Collector
    Current,
    I
    C
    -
    A
    Base to Emitter On Voltage, VBE(on) -- V
    Collector
    Current,
    I
    C
    -
    A
    Base to Emitter On Voltage, VBE(on) -- V
    Collector
    Current,
    I
    C
    -
    A
    Collector to Emitter Voltage, VCE -- V
    Collector
    Current,
    I
    C
    -
    A
    Collector Current, IC -- A
    DC
    Current
    Gain,
    h
    FE
    Collector Current, IC -- A
    DC
    Current
    Gain,
    h
    FE
    IT03736
    IT03738
    IT03737
    IT03739
    IT03740
    IT03741
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    PDF描述
    2SD1669-Q 12 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
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    2SB1136-R 12 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
    2SD1669Q 12 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
    2SD1669S 12 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
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    參數(shù)描述
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    2SB1134Q 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220VAR