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參數資料
| 型號： | 2SB1131T |
| 廠商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | MP, 3 PIN |
| 文件頁數： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 36K |
| 代理商： | 2SB1131T |
2SB1131
No.2420–2/4
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S
0
1s
n
Switching Time Test Circuit
Continued from preceding page.
VR
RB
VCC=10V
VBE= --5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
5
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
IC=10IB1= --10IB2=2A
--5
--3
--2
--4
--1
0
--0.4
--1.0
--0.8
--0.6
--0.2
IC -- VCE
--10mA
--20mA
--30mA
--40mA
IB=0
ITR08956
0
--2
--6
--5
--4
--1
--3
IC -- VCE
IB=0
ITR08957
hFE -- IC
VCE= --2V
ITR08958
100
1000
5
7
3
2
5
7
3
2
10
--0.1
--1.0
3
25
3
25
3
25
5
--10
--0.01
VCE= --5V
--0.1
--1.0
3
25
3
25
3
25
5
--10
--0.01
f T -- IC
100
7
5
3
2
7
5
2
1000
ITR08959
From top
--100mA
--90mA
--80mA
--70mA
--60mA
--50mA
--2.0
--1.2
--0.8
--1.6
--0.4
0
--10mA
--12mA
--2mA
--4mA
--6mA
--8mA
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –A
Gain-Bandwidth
Product,
f T
–
MHz
Collector Current, IC –A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1131R | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1131 | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226 |
| 2SB1131-T | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1132-R-TP | 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1132-P-TP | 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SB1131T-AE | 制造商:SANYO 功能描述:PNP 20V 0.5A 200 to 400 MP Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR PNP 20V 5A TO-226 制造商:Sanyo 功能描述:0 |
| 2SB1132 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Bipolar Junction Transistor, PNP Type, SC-62 |
| 2SB1132_09 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Medium Power Transistor (-32V, -1A) |
| 2SB1132_1 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Medium Power Transistor (−32V,−1A) |
| 2SB1132_10 | 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:PNP Silicon Medium Power Transistor |
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