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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SB1127S |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126 |
| 封裝： | TO-126, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 34K |
| 代理商： | 2SB1127S |
2SB1127
No.2452–3/4
A S O
--1.0
2
5
7
3
2
5
7
3
5
--10
--0.1
5
37
5
33
7
22
--1.0
--10
ICP=–8A
100ms
10ms
DC
operation
1ms
IC=–5A
ITR08954
5
--0.01
23
5
2
3
5
23
5
--0.1
--1.0
--10
IC / IB=50
VBE(sat) -- IC
--1.0
--10
7
5
3
2
7
3
5
ITR08953
No heat sink
0
12
10
6
8
2
4
20
060
40
80
100
140
120
160
PC -- Ta
ITR08955
Cob -- VCB
3
2
3
2
7
5
100
37
2
--1.0
--10
5
37
53
2
ITR08951
f=1MHz
Tc=25
°C
Single pulse
--0.1
--1.0
23
5
23
5
23
5
--10
--0.01
--1000
--10
--100
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
VCE(sat) -- IC
ITR08952
IC / IB
=50
20
10
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
m
V
Collector Current, IC –A
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
–
V
Collector Current, IC –A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–A
Collector
Dissipation,
P
C
–W
Ambient Temperature, Ta – C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1127S | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SB1127T | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SB1127R | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SB1131S | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1131T | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1127T | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-126 |
| 2SB1130AM | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Epitaxial Planar PNP Silicon Transistor |
| 2SB1130M | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | SIP |
| 2SB1131 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Strobe,High-Current Switching Applications |
| 2SB1131R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-92VAR |
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