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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1127R |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126 |
| 封裝： | TO-126, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 34K |
| 代理商： | 2SB1127R |
2SB1127
No.2452–2/4
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S
0
1s
n
Switching Time Test Circuit
Continued from preceding page.
VR
RB
VCC= --10V
VBE=5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
5
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
IC=10IB1= --10IB2=2A
--5
--3
--2
--4
--1
0
--0.4
--1.0
--0.8
--0.6
--0.2
IC -- VCE
--10mA
--20mA
--30mA
--40mA
IB=0
ITR08947
0
--2
--6
--5
--4
--1
--3
IC -- VCE
IB=0
ITR08948
hFE -- IC
VCE= --2V
ITR08949
100
1000
5
7
3
2
5
7
3
2
10
--0.1
--1.0
3
25
3
25
3
25
5
--10
--0.01
VCE= --5V
--0.1
--1.0
3
25
3
25
3
25
5
--10
--0.01
f T -- IC
100
7
5
3
2
7
5
2
1000
ITR08950
From top
--100mA
--90mA
--80mA
--70mA
--60mA
--50mA
--2.0
--1.2
--0.8
--1.6
--0.4
0
--1.0A
--1.2A
--200mA
--400mA
--600mA
--800mA
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –A
Gain-Bandwidth
Product,
f T
–
MHz
Collector Current, IC –A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1131S | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1131T | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1131R | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1131 | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226 |
| 2SB1131-T | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1127S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-126 |
| 2SB1127T | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-126 |
| 2SB1130AM | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Epitaxial Planar PNP Silicon Transistor |
| 2SB1130M | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | SIP |
| 2SB1131 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Strobe,High-Current Switching Applications |
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