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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SB1122 |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | Low-Frequency Power Amp Applications |
| 中文描述： | 低頻功率放大器的應(yīng)用 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 117K |
| 代理商： | 2SB1122 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1622 | Low-Frequency Power Amp Applications |
| 2SB1123 | High-Current Switching Applications |
| 2SD1623 | High-Current Switching Applications |
| 2SB1124 | High-Current Switching Applications |
| 2SD1624 | High-Current Switching Applications |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1122_11 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors Low-Frequency Power Amplifier Applications |
| 2SB1122-D | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Low-Frequency Power Amplifier Applications |
| 2SB1122R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89 |
| 2SB1122S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89 |
| 2SB1122S-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 1A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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