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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1109C |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 160V五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|至126 |
| 文件頁數(shù)： | 3/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 401K |
| 代理商： | 2SB1109C |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1109D | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2SB1110B | TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126 |
| 2SB1110C | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2SB1110D | TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126 |
| 2SB1114ZK | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1109D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126 |
| 2SB1110 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:SILICON PNP EPITAXIAL (LOW FREQUENCY HIGH VOLTAGE AMPLIFIER) |
| 2SB1110B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126 |
| 2SB1110C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126 |
| 2SB1110D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126 |
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