參數資料
型號: 2SB1072K
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon PNP Triple Diffused(三倍擴散PNP晶體管)
中文描述: 三重擴散硅進步黨(三倍擴散進步黨晶體管)
文件頁數: 1/6頁
文件大小: 53K
代理商: 2SB1072K
2SB1072(L), 2SB1072(S)
Silicon PNP Triple Diffused
Application
Medium speed power amplifier complementary pair with 2SD1520(L)/(S)
Outline
4
123
L Type
4
3
2
1
1. Base
2. Collector
3. Emitter
4. Collector
DPAK
S Type
3 k
(Typ)
0.4 k
(Typ)
I
D
1
2, 4
3
相關PDF資料
PDF描述
2SB1078 Silicon PNP Epitaxial(外延PNP晶體管)
2SB1078K Silicon PNP Epitaxial(外延PNP晶體管)
2SB1091 Silicon PNP Triple Diffused
2SB1103 Silicon PNP Triple Diffused
2SB1106 Silicon PNP Triple Diffused(三倍擴散PNP晶體管)
相關代理商/技術參數
參數描述
2SB1072L 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon PNP Triple Diffused
2SB1072S 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon PNP Triple Diffused
2SB1073 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR
2SB10730RL 功能描述:TRANS PNP LF 20VCEO 4A MINI-PWR RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1073-PQR 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR