參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1072(S)
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： POWER TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 53K
代理商： 2SB1072(S)
2SB1072(L), 2SB1072(S)
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25
GC)
Item
Symbol
Rating
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
–100
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
–80
V
Emitter to base voltage
V
EBO
–7
V
Collector current
I
C
–4
A
C to E diode forward current
I
D*
1
4A
Collector peak current
I
C(peak)
–8
A
Collector power dissipation
P
C*
1
20
W
Junction temperature
Tj
150
GC
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
GC
Note:
1. Value at T
C = 25GC
Electrical Characteristics (Ta = 25
GC)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
–80
—
V
I
C = –25 mA, RBE = B
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
–7
—
V
I
E = –50 mA, IC = 0
Collector cutoff current
I
CBO
—
–100
2AV
CB = –80 V, IE = 0
I
CEO
—
–10
2AV
CE = –60 V, RBE = B
DC current transfer ratio
h
FE
1000
—
20000
V
CE = –3 V, IC = –2 A*
1
Collector to emitter saturation
V
CE(sat)1
——–1.5
V
I
C = –2 A, IB = –4 mA*
1
voltage
V
CE(sat)2
——–3.0
V
I
C = –4 A, IB = –40 mA*
1
Base to emitter saturation
V
BE(sat)1
——–2.0
V
I
C = –2 A, IB = –4 mA*
1
voltage
V
BE(sat)2
——–3.5
V
I
C = –4 A, IB = –40 mA*
1
C to E diode forward voltage
V
D
—
3.0
V
I
D = 4 A*
1
Turn on time
t
on
—
0.5
—
2sI
C = –2 A, IB1 = –IB2 = –4 mA
Storage time
t
stg
—
1.5
—
2s
Fall time
t
f
—
1.0
—
2s
Note:
1. Pulse test.
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