參數(shù)資料
型號： 2SB1028EM
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： UPAK-3
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 29K
代理商： 2SB1028EM
2SB1028
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
–180
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
–160
V
Emitter to base voltage
V
EBO
–5
V
Collector current
I
C
–1.5
A
Collector peak current
i
C(peak)*
1
–3
A
Collector power dissipation
P
C*
2
1W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Notes: 1. PW
≤ 10 ms, Duty cycle ≤ 20%
2. Value on the alumina ceramic board (12.5
× 20 × 0.7 mm)
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
–180
—
V
I
C = –1 mA, IE = 0
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
–160
—
V
I
C = –10 mA, RBE = ∞
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
–5
——V
I
E = –1 mA, IC = 0
Collector cutoff current
I
CBO
—
–10
AV
CB = –160 V, IE = 0
DC current transfer ratio
h
FE1*
1
60
—
200
V
CE = –5 V, IC = –0.15 A,
pulse
h
FE2
30
—
V
CE = –5 V, IC = –0.5 A,
pulse
Collector to emitter saturation
voltage
V
CE(sat)
—
–1.0
V
I
C = –0.5 A, IB = –50 mA,
Pulse
Base to emitter voltage
V
BE
—
–0.9
V
CE = –5 V, IC = –0.15 A,
pulse
Note:
1. The 2SB1028 is grouped by h
FE1 as follows.
Mark
EL
EM
h
FE1
60 to 120
100 to 200
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1028-EL SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1028EL SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1030Q 500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1030R 500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1059 1000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1028EMTR-E 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon PNP Epitaxial
2SB103 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-5 -30V -.1A .125W
2SB1030 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SB1030/2SB1030A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2SB1030. 2SB1030A - PNP Transistor
2SB1030A 功能描述:TRANS PNP AF AMP 50V 500MA NEW S RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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