參數(shù)資料
型號： 2SB1020A
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 7 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE, 2-10R1A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 152K
代理商： 2SB1020A
2
3
YA852C15R
http://www.fujisemi.com
FUJI Diode
6
4
2
0
1
2
3
4
5
6
7
Square wave =180°
Sine wave =180°
Square wave =120°
Square wave =60°
Per 1element
DC
Forward Power Dissipation (max.)
W
F
Fo
rw
ar
d
P
ow
er
D
is
si
pa
tio
n
(W
)
IO Average Output Current (A)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
1
2
3
4
5
=180°
DC
Reverse Power Dissipation (max.)
P
R
everse
Power
D
iss
ip
at
io
n
(W
)
VR Reverse Voltage (V)
λ
360°
I0
α
360°
VR
0.01
0.1
1
10
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
Tj=150°C
Tj=125°C
Tj=100°C
Tj=25°C
Forward Characteristic (typ.)
IF
Fo
rw
ar
d
C
ur
re
nt
(A
)
VF Forward Voltage (V)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100 110 120 130 140 150 160
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
Tj=25°C
Tj=100°C
Tj=125°C
Reverse Characteristic (typ.)
Tj=150°C
IR
R
ev
er
se
C
ur
re
nt
(u
A)
VR Reverse Voltage (V)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1025-DJ SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1025DH SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1025-DK SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1025 SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1025-DK SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
2SB1020A(F) 功能描述:兩極晶體管 - BJT HFE 2000(min) VCE-3V Vcbo -100V DC -7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1020A_06 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon PNP Triple Diffused Type (Darlington Power)
2SB1021 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR 2-10L1A-80V -7A 40W BCE
2SB1022 制造商:Toshiba 功能描述:PNP 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Bulk 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TOSHIBA TRANSISTOR2-10L1A -60V -7A 40W BCE
2SB1023 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TOSHIBA TRANSISTOR2-10L1A -60V -3A 25W BCE
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