參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1018A-Y
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 7 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： 2-10R1A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 173K
代理商： 2SB1018A-Y
2SB1018A
2005-02-02
4
Collector-emitter voltage VCE (V)
Safe Operating Area
C
ollect
or
cu
rre
nt
I C
(
A
)
Collector current IC (A)
Ba
se-
emi
tte
rsa
tu
rati
on
v
oltag
e
V
BE
(
sa
t)
(
V
)
Base-emitter voltage VBE (V)
IC – VBE
C
ollect
or
c
urre
nt
I C
(
A
)
1
*
: Single nonrepetitive pulse
Tc = 25°C
Curves must be derated linearly
with increase in temperature.
0.1
0.3
0.5
1
3
5
10
20
3
10
30
100
10 ms*
IC max (pulsed)*
IC max
(continuous)
1 ms*
100 ms*
DC operation
Tc = 25°C
VCEO max
Common emitter
VCE = 1 V
0
2
4
6
0.8
1.6
2.4
3.2
25
55
Tc = 100°C
0.1
0.03
Common emitter
IC/IB = 10
25
100
Tc = 55°C
0.1
0.3
1
3
10
0.3
0.5
1
3
5
10
VBE (sat) – IC
rth – tw
Pulse width tw (s)
T
ra
ns
ie
nt
t
he
rm
al
r
esi
stanc
e
r th
(°
C
/W
)
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.1
Curves apply only to limited areas of thermal resistance.
(single nonrepetitive pulse)
(1) Infinite heat sink
(2) No heat sink
1
10
100
(2)
(1)
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PDF描述
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