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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB0930 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | For Power Amplification |
| 中文描述： | 4 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, N-G1, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 75K |
| 代理商： | 2SB0930 |
2SB0930, 2SB0930A
2
SJD00012BED
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
f
T
I
C
P
C
T
a
I
C
V
CE
I
C
V
BE
0
160
40
120
80
0
10
20
30
40
50
(1)T
C
=
T
a
(2)With a 50 mm
×
50 mm
×
2 mm Al heat sink
(3)Without heat sink
(P
C
=
1.3 W)
(1)
(3)
(2)
C
C
Ambient temperature T
a
(
°
C)
0
0
12
2
10
4
8
6
6
5
4
3
2
1
T
C
=
25
°
C
100 mA
80 mA
60 mA
40 mA
20 mA
10 mA
8 mA
5 mA
I
B
=
120 mA
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
0
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
2
4
6
10
8
T
C
=
100
°
C
25
°
C
25
°
C
V
CE
=
4 V
Base-emitter voltage V
BE
(V)
C
C
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
I
C
/ I
B
=
10
25
°
C
T
C
=
100
°
C
25
°
C
C
C
Collector current I
C
(A)
0.01
0.1
1
10
1
10
V
CE
=
4 V
T
C
=
100
°
C
25
°
C
25
°
C
F
F
Collector current I
C
(A)
10
2
10
4
10
3
0.01
0.1
1
10
1
10
V
CE
=
5 V
f
=
1 MHz
T
C
=
25
°
C
T
T
Collector current I
C
(A)
10
2
10
4
10
3
0.01
1
0.1
1
10
100
10
100
1
000
Non repetitive pulse
T
C
=
25
°
C
t
=
10 ms
t
=
1 ms
I
CP
I
C
t
=
300 ms
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
Safe operation area
R
th
t
10
2
10
1
1
10
10
3
10
2
10
4
10
4
10
3
10
2
10
1
10
1
10
2
10
3
(1)
(2)
(1)Without heat sink
(2)With a 50 mm
×
50 mm
×
2 mm Al heat sink
Time t (s)
T
t
°
C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB0930A | For Power Amplification |
| 2SB0931 | For Power Switching |
| 2SB0932 | For Power Switching |
| 2SB0933 | For Power Switching |
| 2SB0934 | For Power Switching |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB0930(2SB930) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:パワーデバイス － パワートランジスタ － 汎用電力増幅 |
| 2SB0930/2SB0930A(2SB930/2SB930A) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2SB0930. 2SB0930A (2SB930. 2SB930A) - PNP Transistor |
| 2SB0930A | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:For Power Amplification |
| 2SB0930A(2SB930A) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Power Device - Power Transistors - General-Purpose power amplification |
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